삼성, 엔비디아 차세대 HBM에 TSMC 3나노 공정 도입HOT
삼성은 엔비디아의 차세대 맞춤형 고대역폭 메모리용 베이스 다이를 제조하기 위해 TSMC의 3나노 기술을 사용할 예정이며, 이는 자사의 원스톱 제조 모델을 깨는 것이다. 이는 엔비디아가 모든 HBM 공급업체에 TSMC 공정을 채택하도록 요청한 데 따른 것이다.
삼성은 엔비디아의 차세대 맞춤형 고대역폭 메모리용 베이스 다이를 제조하기 위해 TSMC의 3나노 기술을 사용할 예정이며, 이는 자사의 원스톱 제조 모델을 깨는 것이다. 이는 엔비디아가 모든 HBM 공급업체에 TSMC 공정을 채택하도록 요청한 데 따른 것이다.
삼성전자는 3분기 영업이익이 107조4000억 원으로 전년 동기 대비 783% 증가했다고 발표했지만, 매출 195조 원은 분석가 예상을 밑돌았다. 이 수치는 글로벌 메모리 시장이 얼마나 AI 데이터센터 지출에 의존하고 있는지를 보여준다.
한국의 SK하이닉스가 소유한 NAND 플래시 제조사가 미국 상장을 위해 주관사를 선정했다고 보도되었다. 기업가치는 1000억 달러에 달할 수 있다. 이 거래는 AI 수요 급증 속에서 투자자들의 메모리 칩에 대한 관심을 시험할 것이다.
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